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电子元器件详细资料 » IC[28739] » SI9926CDY-T1-GE3
型号:SI9926CDY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C18 毫欧 @ 8.3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs33nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1200pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

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SI9926CDY-T1-GE3相关型号

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